STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

Penerangan Ringkas:

Pengilang: STMicroelectronics
Kategori Produk:MOSFET
Lembaran data:STH3N150-2
Penerangan:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
Status RoHS: Mematuhi RoHS


Butiran Produk

ciri-ciri

Aplikasi

Tag Produk

♠ Penerangan Produk

Atribut Produk Nilai Atribut
Pengeluar: STMikroelektronik
Kategori Produk: MOSFET
RoHS: Butiran
Teknologi: Si
Gaya Pemasangan: SMD/SMT
Pakej/Kes: H2PAK-2
Kekutuban Transistor: Saluran-N
Bilangan Saluran: 1 Saluran
Vds - Voltan Pecah Punca Longkang: 1.5 kV
Id - Arus Parit Berterusan: 2.5 A
Rds On - Rintangan Sumber Longkang: 9 ohm
Vgs - Voltan Punca Pintu: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Voltan Ambang Sumber Gerbang: 3 V
Qg - Caj Pintu: 29.3 nC
Suhu Operasi Minimum: - 55 C
Suhu Operasi Maksimum: + 150 C
Pd - Pelesapan Kuasa: 140 W
Mod Saluran: Penambahbaikan
Nama dagangan: PowerMESH
Pembungkusan: Gulung
Pembungkusan: Potong Pita
Pembungkusan: MouseReel
Jenama: STMikroelektronik
Konfigurasi: Bujang
Masa Musim Gugur: 61 ns
Transkonduktans Hadapan - Min: 2.6 S
Jenis produk: MOSFET
Masa Bangkit: 47 ns
Siri: STH3N150-2
Kuantiti Pek Kilang: 1000
Subkategori: MOSFET
Jenis Transistor: 1 MOSFET Kuasa Saluran N
Masa Lengah Mati Biasa: 45 ns
Masa Lengah Hidupkan Biasa: 24 ns
Berat Unit: 4 g

♠ N-saluran 1500 V, 2.5 A, 6 Ω jenis, PowerMESH Power MOSFET dalam pakej TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 dan TO247

MOSFET Kuasa ini direka bentuk menggunakan proses MESH OVERLAY berasaskan susun atur jalur yang disatukan STMicroelectronics.Hasilnya ialah produk yang sepadan atau bertambah baik pada prestasi bahagian standard yang setanding daripada pengeluar lain.


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • • 100% runtuhan salji diuji

    • Kapasiti intrinsik dan Qg diminimumkan

    • Pensuisan berkelajuan tinggi

    • Pakej plastik TO-3PF terpencil sepenuhnya, laluan jarak rayapan ialah 5.4 mm (biasa)

     

    • Menukar aplikasi

    Produk Berkaitan