STD86N3LH5 MOSFET N-saluran 30 V

Penerangan Ringkas:

Pengilang: STMicroelectronics
Kategori Produk: MOSFET
Lembaran data:STD86N3LH5
Penerangan:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Status RoHS: Mematuhi RoHS


Butiran Produk

ciri-ciri

Permohonan

Tag Produk

♠ Penerangan Produk

Atribut Produk Nilai Atribut
Pengeluar: STMikroelektronik
Kategori Produk: MOSFET
RoHS: Butiran
Teknologi: Si
Gaya Pemasangan: SMD/SMT
Pakej/Kes: KE-252-3
Kekutuban Transistor: Saluran-N
Bilangan Saluran: 1 Saluran
Vds - Voltan Pecah Punca Longkang: 30 V
Id - Arus Parit Berterusan: 80 A
Rds On - Rintangan Sumber Longkang: 5 mOhms
Vgs - Voltan Punca Pintu: - 22 V, + 22 V
Vgs th - Voltan Ambang Sumber Gerbang: 1 V
Qg - Caj Pintu: 14 nC
Suhu Operasi Minimum: - 55 C
Suhu Operasi Maksimum: + 175 C
Pd - Pelesapan Kuasa: 70 W
Mod Saluran: Penambahbaikan
Kelayakan: AEC-Q101
Pembungkusan: Gulung
Pembungkusan: Potong Pita
Pembungkusan: MouseReel
Jenama: STMikroelektronik
Konfigurasi: Bujang
Masa Musim Gugur: 10.8 ns
Ketinggian: 2.4 mm
Panjang: 6.6 mm
Jenis produk: MOSFET
Masa Bangkit: 14 ns
Siri: STD86N3LH5
Kuantiti Pek Kilang: 2500
Subkategori: MOSFET
Jenis Transistor: 1 Saluran-N
Masa Lengah Mati Biasa: 23.6 ns
Masa Lengah Hidupkan Biasa: 6 ns
Lebar: 6.2 mm
Berat Unit: 330 mg

♠ Saluran N gred automotif 30 V, 0.0045 Ω taip, 80 A STRIPFET H5 Power MOSFET dalam pakej DPAK

Peranti ini ialah MOSFET Kuasa saluran-N yang dibangunkan menggunakan teknologi STRIPFET™ H5 STMicroelectronics.Peranti ini telah dioptimumkan untuk mencapai rintangan pada keadaan yang sangat rendah, menyumbang kepada FoM yang merupakan antara yang terbaik dalam kelasnya.


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • • Direka untuk aplikasi automotif dan berkelayakan AEC-Q101

    • RDS pada rintangan rendah (dihidupkan)

    • Kekasaran runtuhan salji yang tinggi

    • Kehilangan kuasa pemacu get rendah

    • Menukar aplikasi

    Produk Berkaitan