FDMC6679AZ MOSFET -30V P-Channel Power Trench
♠ Penerangan Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Pengeluar: | onsemi |
| Kategori Produk: | MOSFET |
| RoHS: | Butiran |
| Teknologi: | Si |
| Gaya Pemasangan: | SMD/SMT |
| Pakej / Kes: | Kuasa-33-8 |
| Kekutuban Transistor: | P-Saluran |
| Bilangan Saluran: | 1 Saluran |
| Vds - Voltan Pecah Punca Longkang: | 30 V |
| Id - Arus Parit Berterusan: | 20 A |
| Rds On - Rintangan Sumber Longkang: | 10 mOhms |
| Vgs - Voltan Punca Pintu: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Voltan Ambang Sumber Gerbang: | 1.8 V |
| Qg - Caj Pintu: | 37 nC |
| Suhu Operasi Minimum: | - 55 C |
| Suhu Operasi Maksimum: | + 150 C |
| Pd - Pelesapan Kuasa: | 41 W |
| Mod Saluran: | Penambahbaikan |
| Nama dagangan: | PowerTrench |
| Pembungkusan: | Gulung |
| Pembungkusan: | Potong Pita |
| Pembungkusan: | MouseReel |
| Jenama: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurasi: | Bujang |
| Transkonduktans Hadapan - Min: | 46 S |
| Ketinggian: | 0.8 mm |
| Panjang: | 3.3 mm |
| Jenis produk: | MOSFET |
| Siri: | FDMC6679AZ |
| Kuantiti Pek Kilang: | 3000 |
| Subkategori: | MOSFET |
| Jenis Transistor: | 1 Saluran P |
| Lebar: | 3.3 mm |
| Berat Unit: | 0.005832 oz |
♠ FDMC6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 10 mΩ
FDMC6679AZ telah direka bentuk untuk meminimumkan kerugian dalam aplikasi suis beban.Kemajuan dalam kedua-dua silikon dan teknologi pakej telah digabungkan untuk menawarkan perlindungan rDS(on) dan ESD terendah.
• rDS (on) maksimum = 10 mΩ pada VGS = -10 V, ID = -11.5 A
• Max rDS(on) = 18 mΩ pada VGS = -4.5 V, ID = -8.5 A
• Tahap perlindungan HBM ESD 8 kV biasa (nota 3)
• Julat VGSS lanjutan (-25 V) untuk aplikasi bateri
• Teknologi parit berprestasi tinggi untuk rDS(on) yang sangat rendah
• Keupayaan pengendalian kuasa tinggi dan semasa
• Penamatan adalah tanpa plumbum dan Mematuhi RoHS
• Muatkan Suis dalam Notebook dan Pelayan
• Pengurusan Kuasa Pek Bateri Notebook
