W9864G6KH-6 DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm

Penerangan Ringkas:

Pengilang: Winbond
Kategori Produk:DRAM
Lembaran data: W9864G6KH-6
Penerangan:IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
Status RoHS: Mematuhi RoHS


Butiran Produk

ciri-ciri

Tag Produk

♠ Penerangan Produk

Atribut Produk Nilai Atribut
Pengeluar: Winbond
Kategori Produk: DRAM
RoHS: Butiran
Jenis: SDRAM
Gaya Pemasangan: SMD/SMT
Pakej/Kes: TSOP-54
Lebar Bas Data: 16 bit
Organisasi: 4 M x 16
Saiz Memori: 64 Mbit
Kekerapan Jam Maksimum: 166 MHz
Masa Capaian: 6 ns
Voltan Bekalan - Maks: 3.6 V
Voltan Bekalan - Min: 3 V
Arus Bekalan - Maks: 50 mA
Suhu Operasi Minimum: 0 C
Suhu Operasi Maksimum: + 70 C
Siri: W9864G6KH
Jenama: Winbond
Sensitif Kelembapan: ya
Jenis produk: DRAM
Kuantiti Pek Kilang: 540
Subkategori: Memori & Storan Data
Berat Unit: 9.175 g

♠ 1M ✖ 4 BANK ✖ 16 BITS SDRAM

W9864G6KH ialah memori akses rawak dinamik segerak berkelajuan tinggi (SDRAM), disusun sebagai 1M perkataan  4 bank  16 bit.W9864G6KH menyampaikan lebar jalur data sehingga 200 juta perkataan sesaat.Untuk aplikasi yang berbeza, W9864G6KH diisih mengikut gred kelajuan berikut: -5, -6, -6I dan -7.Bahagian gred -5 boleh berjalan sehingga 200MHz/CL3.Bahagian gred -6 dan -6I boleh berjalan sehingga 166MHz/CL3 (gred industri -6I yang dijamin menyokong -40°C ~ 85°C).Bahagian gred -7 boleh berjalan sehingga 143MHz/CL3 dan dengan tRP = 18nS.

Akses kepada SDRAM adalah berorientasikan pecah.Lokasi memori berturut-turut dalam satu halaman boleh diakses pada panjang pecah 1, 2, 4, 8 atau halaman penuh apabila bank dan baris dipilih oleh arahan AKTIF.Alamat lajur dijana secara automatik oleh kaunter dalaman SDRAM dalam operasi pecah.Bacaan lajur rawak juga boleh dilakukan dengan memberikan alamatnya pada setiap kitaran jam.

Sifat berbilang bank membolehkan interleaving antara bank dalaman menyembunyikan masa prapengecasan. Dengan mempunyai Daftar Mod boleh atur cara, sistem boleh menukar panjang pecah, kitaran kependaman, celahan atau letusan berjujukan untuk memaksimumkan prestasinya.W9864G6KH sesuai untuk memori utama dalam aplikasi berprestasi tinggi.


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • • 3.3V ± 0.3V untuk bekalan kuasa gred kelajuan -5, -6 dan -6I

    • 2.7V~3.6V untuk bekalan kuasa gred kelajuan -7

    • Sehingga 200 MHz Kekerapan Jam

    • 1,048,576 patah perkataan

    • 4 bank

    • Organisasi 16 bit

    • Arus Segar Sendiri: Standard dan Kuasa Rendah

    • Kependaman CAS: 2 dan 3

    • Panjang Pecah: 1, 2, 4, 8 dan halaman penuh

    • Letusan Berurutan dan Interleave

    • Data Bait Dikawal oleh LDQM, UDQM

    • Pracaj automatik dan Pracaj Terkawal

    • Letus Baca, Mod Tulis Tunggal

    • Kitaran Penyegaran 4K/64 mS

    • Antara muka: LVTTL

    • Dibungkus dalam TSOP II 54-pin, 400 mil menggunakan bahan bebas plumbum dengan mematuhi RoHS

     

     

    Produk Berkaitan