Modul STGIPQ5C60T-HZ IGBT SLLIMM nano siri ke-2 IPM, penyongsang 3 fasa, 5 A, 600 V litar pintas IG lasak
♠ Penerangan Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Pengeluar: | STMikroelektronik |
| Kategori Produk: | Modul IGBT |
| RoHS: | Butiran |
| produk: | Modul Karbida Silikon IGBT |
| Konfigurasi: | Penyongsang 3 Fasa |
| Pemungut- Voltan Pemancar VCEO Maks: | 600 V |
| Voltan Ketepuan Pemungut-Pemancar: | 1.7 V |
| Arus Pemungut Berterusan pada 25 C: | 5 A |
| Arus Kebocoran Gate-Emitter: | - |
| Pd - Pelesapan Kuasa: | 13.6 W |
| Pakej / Kes: | N2DIP-26 |
| Suhu Operasi Minimum: | - 40 C |
| Suhu Operasi Maksimum: | + 125 C |
| Pembungkusan: | tiub |
| Jenama: | STMikroelektronik |
| Gaya Pemasangan: | Melalui Lubang |
| Jenis Produk: | Modul IGBT |
| Siri: | STGIPQ5C60T-HZ |
| Kuantiti Pek Kilang: | 360 |
| Subkategori: | IGBT |
| Teknologi: | SiC |
| Nama Dagangan: | SLLIMM |
| Berat Unit: | 0.000141 oz |
♠ SLLIMM™ nano - IPM siri ke-2, penyongsang 3 fasa, 5 A, 600 V, IGBT lasak litar pintas
Siri kedua SLLIMM (modul acuan pintar kerugian rendah kecil)-nano ini menyediakan pemacu motor AC berprestasi tinggi yang padat dalam reka bentuk yang ringkas dan lasak. Ia terdiri daripada enam IGBT perhentian pintu parit lasak litar pintas yang dipertingkatkan dengan diod roda bebas dan tiga HVIC separuh jambatan untuk pemanduan pagar, memberikan ciri gangguan elektromagnet (EMI) rendah dengan kelajuan pensuisan yang dioptimumkan. Pakej ini direka bentuk untuk membolehkan heatsink yang lebih baik dan lebih mudah diskrukan, dan dioptimumkan untuk prestasi terma dan kekompakan dalam aplikasi motor terbina dalam atau aplikasi kuasa rendah lain yang ruang pemasangan terhad. IPM ini termasuk penguat operasi yang tidak terikat sepenuhnya dan pembanding yang boleh digunakan untuk mereka bentuk litar perlindungan yang pantas dan cekap. SLLIMM™ ialah tanda dagangan STMicroelectronics.
• IPM 5 A, 600 V, jambatan penyongsang IGBT 3 fasa termasuk 3 IC kawalan untuk pemanduan pagar dan diod roda bebas
• Pembanding input TTL/CMOS 3.3 V, 5 V, 15 V dengan histerisis dan perintang tarik-turun/tarik-naik
• Diod tali but dalaman
• Dioptimumkan untuk gangguan elektromagnet yang rendah
• Kunci keluar voltan bawah
• TFS IGBT lasak litar pintas
• Fungsi tutup
• Fungsi saling mengunci
• Op-amp untuk penderiaan arus lanjutan
• Pembanding untuk perlindungan kerosakan terhadap arus lebih
• NTC (UL 1434 CA 2 dan 4)
• Penarafan pengasingan 1500 Vrms/min.
• Perlindungan ESD sehingga ±2 kV (HBM C = 100 pF, R = 1.5 kΩ)
• Pengiktirafan UL: UL 1557, fail E81734
• Penyongsang 3 fasa untuk pemacu motor
• Pencuci pinggan mangkuk, pemampat peti sejuk, sistem pemanasan, kipas penghawa dingin, pam penyaliran dan peredaran semula
