Samsung Electronics mengadakan Samsung Foundry Forum 2022 di Gangnam-gu, Seoul pada 20 Okt, lapor BusinessKorea.
Jeong Ki-tae, naib presiden pembangunan teknologi untuk unit perniagaan faundri syarikat, berkata Samsung Electronics berjaya menghasilkan besar-besaran cip 3-nanometer berdasarkan teknologi GAA buat pertama kali di dunia tahun ini, dengan penggunaan kuasa 45 peratus lebih rendah, 23 peratus prestasi lebih tinggi dan 16 peratus kurang kawasan berbanding cip 5-nanometer.
Samsung Electronics juga bercadang untuk tidak berusaha untuk mengembangkan kapasiti pengeluaran pengecoran cipnya, yang menyasarkan untuk meningkatkan lebih daripada tiga kali ganda kapasiti pengeluarannya menjelang 2027. Untuk tujuan itu, pembuat cip itu meneruskan strategi "shell-first", yang melibatkan pembinaan membersihkan bilik dahulu dan kemudian mengendalikan kemudahan secara fleksibel apabila permintaan pasaran timbul.
Choi Si-young, presiden unit perniagaan faundri Samsung Electronics, berkata, "Kami mengendalikan lima kilang di Korea dan Amerika Syarikat, dan kami telah memperoleh tapak untuk membina lebih daripada 10 kilang."
IT House telah mengetahui bahawa Samsung Electronics merancang untuk melancarkan proses 3-nanometer generasi kedua pada tahun 2023, memulakan pengeluaran besar-besaran 2-nanometer pada tahun 2025 dan melancarkan proses 1.4-nanometer pada tahun 2027, peta jalan teknologi yang pertama kali didedahkan oleh Samsung di San Francisco pada 3 Okt. (waktu tempatan).
Masa siaran: Nov-14-2022