Transistor Bipolar MBT3904DW1T1G – BJT 200mA 60V Dwi NPN
♠ Penerangan Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Pengeluar: | onsemi |
| Kategori Produk: | Transistor bipolar - BJT |
| RoHS: | Butiran |
| Gaya Pemasangan: | SMD/SMT |
| Pakej / Kes: | SC-70-6 |
| Kekutuban Transistor: | NPN |
| Konfigurasi: | Dwi |
| Pemungut- Voltan Pemancar VCEO Maks: | 40 V |
| Pemungut- Voltan Asas VCBO: | 60 V |
| Pemancar- Voltan Asas VEBO: | 6 V |
| Voltan Ketepuan Pemungut-Pemancar: | 300 mV |
| Arus Pengumpul DC Maksimum: | 200 mA |
| Pd - Pelesapan Kuasa: | 150 mW |
| Dapatkan fT Produk Lebar Jalur: | 300 MHz |
| Suhu Operasi Minimum: | - 55 C |
| Suhu Operasi Maksimum: | + 150 C |
| Siri: | MBT3904DW1 |
| Pembungkusan: | Gulung |
| Pembungkusan: | Potong Pita |
| Pembungkusan: | MouseReel |
| Jenama: | onsemi |
| Arus Pemungut Berterusan: | - 2 A |
| Pengumpul DC/Keuntungan Asas hfe Min: | 40 |
| Ketinggian: | 0.9 mm |
| Panjang: | 2 mm |
| Jenis produk: | BJT - Transistor Bipolar |
| Kuantiti Pek Kilang: | 3000 |
| Subkategori: | Transistor |
| Teknologi: | Si |
| Lebar: | 1.25 mm |
| Bahagian # Alias: | MBT3904DW1T3G |
| Berat Unit: | 0.000988 oz |
• hFE, 100−300 • VCE rendah(sat), ≤ 0.4 V
• Memudahkan Reka Bentuk Litar
• Mengurangkan Ruang Papan
• Mengurangkan Kiraan Komponen
• Tersedia dalam Pita dan Kekili 8 mm, 7−inci/3,000 Unit
• Awalan S dan NSV untuk Automotif dan Aplikasi Lain yang Memerlukan Keperluan Perubahan Tapak dan Kawalan Unik;Berkelayakan AEC−Q101 dan Berkeupayaan PPAP
• Peranti Ini Bebas Pb, Bebas Halogen/Bebas BFR dan Mematuhi RoHS
