FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V

Penerangan Ringkas:

Pengilang: ON Semiconductor

Kategori Produk: Transistor – FET, MOSFET – Tunggal

Lembaran data:FDN335N

Penerangan: MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

Status RoHS: Mematuhi RoHS


Butiran Produk

ciri-ciri

Aplikasi

Tag Produk

♠ Penerangan Produk

Atributo produk Valor de atributo
Fabricante: onsemi
Kategori produk: MOSFET
RoHS: Detalles
Teknologi: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SSOT-3
Polaridad del transistor: Saluran-N
Nombor kanal: 1 Saluran
Vds - Ketegangan disruptiva entre drenaje y fuente: 20 V
Id - Corriente de drenaje continua: 1.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 55 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 8 V, + 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 400 mV
Qg - Carga de puerta: 5 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo maxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia : 500 mW
Terusan Modo: Penambahbaikan
Nombre komersial: PowerTrench
Empaquetado: Gulung
Empaquetado: Potong Pita
Empaquetado: MouseReel
Marca: onsemi / Fairchild
Konfigurasi: Bujang
Tiempo de caída: 8.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 7 S
Altura: 1.12 mm
Longitud: 2.9 mm
Produk: MOSFET Isyarat Kecil
Jenis produk: MOSFET
Tiempo de subida: 8.5 ns
Seri: FDN335N
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subkategori: MOSFET
Jenis transistor: 1 Saluran-N
Tipo: MOSFET
Tiempo de retardo de apagado tipikal: 11 ns
Tiempo típico demora de encendido: 5 ns
Ancho: 1.4 mm
Alias ​​de las piezas n.º: FDN335N_NL
Peso de la unidad: 0.001058 oz

♠ N-Channel 2.5V PowerTrenchTM MOSFET Ditentukan

MOSFET yang ditentukan N-Channel 2.5V ini dihasilkan menggunakan proses PowerTrench termaju ON Semiconductor yang telah disesuaikan khas untuk meminimumkan rintangan pada keadaan dan mengekalkan cas get rendah untuk prestasi pensuisan yang unggul.


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • • 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V.

    • Caj pintu rendah (3.5nC tipikal).

    • Teknologi parit berprestasi tinggi untuk RDS(ON) yang sangat rendah.

    • Keupayaan pengendalian kuasa tinggi dan semasa.

    • Penukar DC/DC

    • Suis beban

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