BUK9K35-60E,115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ Penerangan Produk
Atribut Produk | Nilai Atribut |
Pengeluar: | Nexperia |
Kategori Produk: | MOSFET |
RoHS: | Butiran |
Teknologi: | Si |
Gaya Pemasangan: | SMD/SMT |
Pakej / Kes: | LFPAK-56D-8 |
Kekutuban Transistor: | Saluran-N |
Bilangan Saluran: | 2 Saluran |
Vds - Voltan Pecah Punca Longkang: | 60 V |
Id - Arus Parit Berterusan: | 22 A |
Rds On - Rintangan Sumber Longkang: | 32 mOhms |
Vgs - Voltan Punca Pintu: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Voltan Ambang Sumber Gerbang: | 1.4 V |
Qg - Caj Pintu: | 7.8 nC |
Suhu Operasi Minimum: | - 55 C |
Suhu Operasi Maksimum: | + 175 C |
Pd - Pelesapan Kuasa: | 38 W |
Mod Saluran: | Penambahbaikan |
Kelayakan: | AEC-Q101 |
Pembungkusan: | Gulung |
Pembungkusan: | Potong Pita |
Pembungkusan: | MouseReel |
Jenama: | Nexperia |
Konfigurasi: | Dwi |
Masa Musim Gugur: | 10.6 ns |
Jenis produk: | MOSFET |
Masa Bangkit: | 11.3 ns |
Kuantiti Pek Kilang: | 1500 |
Subkategori: | MOSFET |
Jenis Transistor: | 2 Saluran-N |
Masa Lengah Mati Biasa: | 14.9 ns |
Masa Lengah Hidupkan Biasa: | 7.1 ns |
Bahagian # Alias: | 934066977115 |
Berat Unit: | 0.003958 oz |
♠ BUK9K35-60E Dwi saluran N 60 V, 35 mΩ tahap logik MOSFET
MOSFET saluran N dwi logik dalam pakej LFPAK56D (Dual Power-SO8) menggunakan teknologi TrenchMOS.Produk ini telah direka bentuk dan memenuhi syarat standard AEC Q101 untuk digunakan dalam aplikasi automotif berprestasi tinggi.
• Dwi MOSFET
• Mematuhi Q101
• Dinilai runtuhan salji berulang
• Sesuai untuk persekitaran yang memerlukan haba kerana penarafan 175 °C
• Gerbang aras logik sebenar dengan penarafan VGS(th) lebih daripada 0.5 V pada 175 °C
• Sistem Automotif 12 V
• Motor, lampu dan kawalan solenoid
• Kawalan penghantaran
• Pensuisan kuasa berprestasi tinggi ultra